FOTOLUMINESENSI FILM TIPIS GALIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PLASMA ENHANCED METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

Bahan semikonduktor GaN merupakan semikonduktor yang penting karena memiliki celah pita energi langsung (direct band gap) dengan Eg 3,4 eV sehingga sangat potensial untuk digunakan dalam aplikasi optoelektronik seperti light emiting – diode dan laser yang bekerja di daerah biru. Dalam penelitian ini digunakan fotoluminesensi, yaitu sistem karakterisasi optik tanpa kontak dan tidak merusak bahan. Sampel disinari dengan laser He-Cd dengan ?.=325 nm. Berkas luminesensi yang keluar dari sampel difokuskan oleh lensa dan dianalisa monokromator selanjutnya dideteksi dengan detektor photomultiplier(PMT), dibaca oleh lock-in amplifier dan spektrum yang terukur ditampilkan oleh komputer. Analisa dari puncak-puncak fotoluminesensi menunjukan bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan mempunyai energi gap sebesar 3,35 eV dan puncak yang sangat dominan terdapat pada energi di sekitar 2,8 eV dan 2,9 eV yang berkaitan dengan cacat alamiah (native defect) galium antisite (GaN) dan kekosongan nitrogen (VN). Sementara fotoluminesensi tidak nampak apa yang disebut yellow luminescence yaitu suatu pita lebar yang berpusat pada 2,1 eV - 2,2 eV, yang dikaitkan dengan native defect akibat kekosongan galium. Hal ini berarti menunjukan bahwa film tipis hasil deposisi adalah film tipis GaN yang kaya Galium.
Translation:Gallium Nitride is a direct band-gap semiconductor with Eg=3,4 eV. Therefore it potential, in optoelectronic applications, such as light emitting diodes and lasers operating in the blue-violet region. Photoluminescence (PL) is non-destructive and contact method for optic characterization. The material is excited by a He-Cd laser (?=325nm). The emitted-PL is collected and focused by a lens and analyzed by a monocromator. Photomultiplier was used as a detector and a lock-in amplifier used for signal recovery. Control of instrument and data acgnisition are performed by computer, therefore the PL spectra can be obtained directly. The PL spectra of GaN thin film showed same features, such that, peak at 3,35 eV which correspond to the band gap and two peak at 2,8 eV and 2,9 eV which associated with gallium antisite (GaN) and nitrogen vacancy (VN). Yellow luminescence centered around at 2,1eV-2,2 eV was not detected. It reveal that the grown Films is